上辈零模电导的这种行为支持FeTe0.55Se0.45中存在MZM。

晚上，作辈惨小狗还会偷偷溜出家门，作辈惨去看看外面的世界，它们会一路奔跑，一路嗅着，一路探索，把这个世界里的一切都收集起来，然后再回家，它们会想要和家人分享这些新鲜的经历。晚上，恶多小狗也会和家人一起看电视，它们会很活泼的蹦到家人身上，像是要说：快点，让我们一起去看看电视吧

再进一步研究发现，上辈在没有阳离子缺陷的完美尖晶石中，上辈Zn2+离子通过一个未占据的八面体位点（8c）从一个四面体位点（4a）迁移到另一个，因此在邻近的八面体位点（8d）中就会受到Mn阳离子的大静电排斥，强烈地阻碍了Zn2+的扩散（图10e-f）。例如，作辈惨浙江大学夏新辉研究员和中山大学卢锡洪教授课题组在TiC/C纳米棒阵列基底通过低温（200°C）NH3处理MnO2来合成富含氧缺陷的N-dopedMnO2–x 正极材料（图8j）[11]。另一方面，恶多引入缺陷的电极材料还能产生更多的电化学活性位点，增加系统的表面能并促进电化学相变，从而具备更好的电荷存储能力。

总而言之，上辈非金属元素掺杂剂也能够很好地改善MnO2正极材料的离子电子反应动力学和结构稳定性，进而获得优异的电化学性能。更重要的是，作辈惨Mn缺陷MnO在Zn2+的存储/释放过程中并没有表现出结构塌陷（图11e），这极大地改善提高MnO的循环寿命。

另外，恶多额外增加导电剂还会在一定程度上降低锰基活性物质的利用率，从而减少比容量。

相比于纯ZnMn2O4来说，上辈由于Mn空位的存在削弱了静电势垒，这间接提高锌离子的扩散速率，因此富含空位的ZnMn2O4可以实现Zn2+的可逆嵌脱（图10a-d）。作辈惨 左：无偏振器/检偏器。

论文共同第一作者为清华-伯克利深圳学院研究科学家丁宝福博士、恶多曼彻斯特大学博士生邝文俊，恶多论文共同通讯作者为刘碧录副教授、成会明教授及安德烈•盖姆教授。上辈c）理论拟合透射谱随磁场的关系。

其中所述的0.2T磁场完全可以由两个纽扣大小的永磁体提供，作辈惨有望全面发挥引言所述磁驱动的优势。恶多图文导读图1.二维磁性材料水性悬浮液中的透射式磁致变色现象。